Японские ученые создали дешевую пластиковую флэш-память // 14 Января 2013

Слова «дешевый» и «пластиковый» нечасто используются при описании самых современных технологических разработок. Тем не менее, оба указанных эпитета применимы к новейшему изобретению ученых из Токио. Исследователи создали новую разновидность недорогой в производстве пластиковой флэш-памяти, которой может найтись применение в инновационных гибких электронных «девайсах».

Флэш-память предполагает хранение данных в особых кремниевых транзисторах. Характерной особенностью таких устройств является быстрое считывание и запись информации, а также отсутствие необходимости в постоянной подаче питания. Таким образом, энергонезависимая память на базе флэш-технологий идеально подходит для использования в MP3-плеерах, цифровых камерах, картах памяти и USB-накопителях. К сожалению, затраты на ее производство по-прежнему достаточно велики.

Созданная японскими учеными пластиковая флэш-память пока еще не способна конкурировать с традиционными кремниевыми устройствами ни по емкости, ни по долговечности, ни по количеству циклов перезаписи. Главным достоинством новых модулей памяти является их крайне низкая цена. Следовательно, инновационной технологией могут заинтересоваться производители менее традиционных электронных устройств. К примеру, дешевые пластиковые модули памяти могут встраиваться в изделия из электронной бумаги или в «одноразовые» сенсорные метки.

Пластиковая память была разработана группой сотрудников Токийского университета, возглавляемой профессором электротехники Такао Сомейя (Takao Someya). Ключевым компонентом решения, по мнению руководителя проекта, является гибридный слой, состоящий из полимеров и окисей металла и отвечающий за изоляцию транзисторных затворов, в которых хранится заряд. Ученые разместили транзисторные затворы на пластиковой подложке, нанесли тонкий слой оксида алюминия поверх затворов и погрузили пластиковую пленку в раствор, содержащий изолирующий полимер. Результатом этой процедуры стала «самосборка» полимера на поверхности оксида алюминия.

По заявлению разработчиков, предлагаемое устройство способно выдержать до 1000 циклов считывания и записи информации. Для сравнения сообщим, что традиционный кремниевый флэш-модуль данные можно записать примерно 100 000 раз.

Для демонстрации возможностей своей технологии группа профессора Сомейи сконструировала систему, состоящую из устройства с 676 ячейками памяти и датчиком давления. Сверхтонкое устройство хранения данных, толщина которого не превышает 700 микрометров, использовалось для регистрации нажатий и с успехом удерживало данные в течение суток. Описание оригинального устройства можно найти в популярном научном журнале Science.

По материалам сайта TechnologyReview.