Микросхемы памяти станут прозрачными // 02 Ноября 2012

Ученые из Корейского института перспективных наук и технологий KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology) разработали и изготовили первые опытные образцы прозрачных микросхем энергонезависимой памяти со случайным доступом. Открытие корейских ученых открывает путь к новым видам электроники.

Как заявляют сами авторы полностью прозрачной памяти Чун Вон Сео (Jung Won Seo), Че Ву Пак (Jae-Woo Park), Кьонг Су Лим (Keong Su Lim), Чи Хван Ян (Ji-Hwan Yang) и Сан Чун Кан (Sang Jung Kang), новый тип памяти не является конкурентом или заменителем обычной энергонезависимой памяти на основе кремния. Прозрачная память TRRAM (Transparent Resistive Random Access Memory – прозрачная резистивная память со случайным доступом) является разновидностью недавно открытой резистивной долговременной памяти RRAM (Resistive RAM), которую многие производители рассматривают в качестве наследника памяти на фазовых изменениях PRAM (Phase-change Random Access Memory) и магнитно-резистивных запоминающих устройств MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory).

Возможно, новая прозрачная память найдет применение в новых плоскоэкранных телевизорах, если дальнейшие исследования позволят создать и другие электронные компоненты с такой же степенью прозрачности. Вообще, ячейки памяти на основе технологии TRRAM отличаются завидными характеристиками согласно заключениям разработчиков, такие ячейки могут хранить информацию на протяжении 10 лет. Количество циклов чтения/записи благодаря последним исследованиям в области флэш-памяти NAND может достигнуть рекордного показателя в 100 миллионов циклов. Кроме того, авторы технологии TRRAM работают над изготовлением своих ячеек памяти на гибких носителях.

В своей статье разработчики прозрачной энергонезависимой памяти TRRAM считают, что серийное производство такой памяти можно будет наладить уже через 3-4 года. Также они утверждают, что производство TRRAM обойдется дешевле существующих видов флэш-памяти, в частности, за счет отказа от использования дорогих редкоземельных металлов, таких как иридий.

Текст статьи с описанием новой технологии для создания прозрачных ячеек энергонезависимой памяти TRRAM можно найти в материалах Американского физического института (American Institute of Physics), сообщает informationweek.com.