Новая память от Samsung выдержит до триллиона циклов перезаписи // 09 Декабря 2012

Устройства хранения на базе флэш-памяти NAND на данный момент не имеют себе равных по показателям производительности. Однако инженеры из южнокорейской компании Samsung утверждают, что в их распоряжении уже имеются рабочие прототипы новой памяти ReRAM, которые отличаются от существующих аналогов исключительной долговечностью и производительностью.

ReRAM – это энергонезависимая память, которая предусматривает более триллиона циклов перезаписи, то есть в миллион раз больше, чем существующая флэш-память NAND. Время переключения ячейки памяти между разными состояниями составляет всего 10 наносекунд, в то время как для современной флэш-памяти этот показатель равен 0.1 миллисекунды.

Для достижения столь впечатляющих результатов специалистам Samsung пришлось отказаться от использования такого традиционного материала, как кремний. Новая память создается на базе оксида тантала (Ta2O5-x/TaO2-x).

Несмотря на то, что инженерам Samsung, по их собственным словам, удалось добиться значительных успехов в разработке памяти нового типа, первые коммерческие продукты на базе новой технологии появятся на рынке очень нескоро.

По материалам сайта SoftPedia.