Прорыв в чипостроении // 11 Декабря 2012

Американские ученые представили на суд общественности инновационный способ производства микросхем, в основе которого лежат методы традиционной литографии.

Предлагаемая методика позволит создавать электронные компоненты гораздо меньших размеров, чем сейчас, и позволит индустрии развиваться в полном соответствии с «законом Мура» (который гласит, что количество транзисторов, размещаемых на чипе, будет удваиваться каждые два года).

Для нанесения рисунка схемы на кремниевую подложку исследователи из Массачусетского Технологического Института (MIT) воспользовались лазером с длиной волны в 351 нанометр. С помощью лазера на подложку была нанесена 200-нанометровая сетка (25-нанометровые линии, расстояние между которыми составляет 175 нанометров). Данная процедура была повторена три раза с легким смещением шаблона, после чего в распоряжении ученых оказалась «нарисованная» на чипе сетка параллельных линий, ширина которых (и промежуток между ними) составляет всего 25 нанометров.

Разумеется, для размещения на схеме электронных компонентов производителям потребуется прибегнуть к более современным технологиям, однако продемонстрированная учеными методика значительно удешевляет процесс производства, сообщает engadget.com.