Транзисторы на бумаге // 28 Марта 2013

Исследователи из Universidade Nova de Lisboa сконструировали первый в мире полевой транзистор (FET) с межпластинным слоем, изготовленным из бумаги.

Сегодня многие исследовательские группы изучают возможность применения недорогих биополимеров в производстве электронных устройств. Целлюлоза является одним из наиболее распространенных биополимеров, и ученые не раз предлагали использовать этот материал в качестве подложки. Однако до недавнего времени никто не использовал бумагу для изготовления межпластинной прослойки полевых транзисторов. Португальские ученые первыми предложили устройство, в котором бумага одновременно выполняет функцию изолятора и подложки.

Тщательное изучение характеристик устройства показало, что гибридные полевые транзисторы по производительности превосходят TFT-компоненты из аморфного кремния и вполне способны соперничать с метало-оксидными тонкопленочными транзисторами.

Указанная разработка может способствовать появлению на рынке широкого спектра «одноразовых» электронных устройств, таких как бумажные дисплеи, «умные» наклейки, RFID-метки и др. Подробный отчет о достигнутых учеными успехах будет опубликован в сентябре в периодическом издании IEEE Electron Device Letters, сообщает physorg.com.