Флэш-память из графена открыла новые перспективы миниатюризации // 23 Марта 2013

Исследователи из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA, США) и компании Smsung представили первые рабочие образцы энергонезависимой флэш-памяти, созданные не на основе кремния, как нынешние серийные образцы, а на базе графена – особой формы углерода в виде пленки толщиной в один атом. Его применение может обеспечить дальнейшее развитие технологий на многие годы вперед, поскольку уменьшение ячеек памяти на кремнии приближается к его теоретическому пределу.

Флэш-память состоит из крохотных транзисторов с «плавающими затворами», сохраняющими состояние без подачи питания. Тем не менее, при уменьшении размеров каждого элемента настает момент, когда  кремний под этими элементами становится нестабильным. Кроме того, при дальнейшей миниатюризации начинает усиливаться взаимное электрическое влияние элементов друг на друга. Как утверждают разработчики флэш-памяти из графена, их технология свободна от таких проблем.

Огастин Хонг (Augustin Hong), работавший над новой памятью в UCLA, рассказал, что графен используется только на уровне хранения. Остальная часть по-прежнему состоит из кремния. Фактически графен не столько заменяет, сколько дополняет функции кремниевой микроэлектроники. Преимущества этого наноматериала обусловлены тем, что он позволяет сделать затворы транзисторов намного тоньше и хранить гораздо больший заряд в ячейках без значимых утечек.

Статья о разработке гибридной флэш-памяти со слоем графена на кремниевой подложке опубликована в авторитетном издании о нанотехнологиях ACS Nano. Авторы считают, что наладить серийный выпуск такой электроники можно достаточно быстро. Уже сейчас компания Micron проявляет интерес к коммерциализации данной технологии.

По материалам сайта MIT Technology Review.