Hynix сжал flash-память на 30% // 28 Ноября 2012

Южнокорейский производитель микросхем Hynix объявил о прорыве в технологии производства энергонезависимой флэш-памяти.

Как заявляет компания, сокращение площади, занимаемой каждым битом памяти, на треть, позволит уже к концу года сократить стоимость каждого гигабайта еще на 30%.

Как рассказал газете Korea Times представитель Hynix Ли Си-Хьюн (Lee Si-hyun), первые продукты на основе новой технологии должны появиться на рынке уже в октябре этого года. Активная работа научно-исследовательского подразделения компании Hynix позволила уместить целых три бита на площади, где раньше размещались всего два бита памяти. В результате, без изменения технологического процесса и без серьезного увеличения производственных расходов компания сможет выпускать микросхемы с увеличенной на 30% емкостью.

Компания Hynix первой из производителей флэш-памяти объявила о конкретных сроках выпуска продукции на основе давно обсуждаемой технологии «3x cells» (3-хбитные ячейки памяти). Остальные производители, несмотря на громкие заявления, пока не представили даже опытных образцов продукции с такими трехбитными ячейками. В частности, уже сейчас Hynix планирует применять эту технологию при выпуске новых микросхем энергонезависимой памяти емкостью 32 Гбит (около 4 Гбайт), сообщает vnunet.com.