Intel и Micron обещают перейти на новую технологию производства флэш-памяти // 29 Ноября 2012

Компании Intel и Micron анонсировали серийный выпуск флэш-памяти с повышенной емкостью для флэш-карт и USB-накопителей. Заявленная технология предусматривает создание памяти с 3-битными NAND-ячейками по норме 34 нм. Вместе с анонсом нового вида серийной флэш-памяти компания Intel заявила об устранении проблем в своих твердотельных SSD-дисках X25-M и X18-M.

Гонка среди производителей флэш-памяти не прекращается ни на минуту, несмотря на якобы бушующий в мире экономический кризис. Тем не менее, каждый новый шаг в этой гонке дорого обходится ее участникам. В частности, новую 34-нанометровую флэш-память с трехбитными ячейками компаниям Micron и Intel придется производить вместе. Новая память обеспечивает существенное увеличение плотности данных на единицу площади микросхем, что открывает дорогу к еще более емким картам памяти и привычным USB-«флэшкам» при сохранении тех же миниатюрных размеров. В то же время, пока новая технология (34 нм, 3-битные ячейки NAND) не готова к использованию в SSD-накопителях из-за сравнительно низкого уровня надежности и долговечности.

Интересно заметить, что компании SanDisk и Toshiba еще в феврале этого года анонсировали память с 4-битными многоуровневыми ячейками MLC NAND, правда их память производится по процессу с нормой 43 нм. В то же время SanDisk и Toshiba в конце текущего года планируют начать поставки новых микросхем памяти (32 нм, 3-битные ячейки NAND), так что конкуренция становится еще острее. Отраслевые эксперты из компании Objective Analysis считают, что переход на технологическую норму от 30 до 39 нм (3xnm) создает существенное конкурентное преимущество, по крайней мере, на 2010 г.

Пока крупные производители памяти вроде Samsung и Hynix/Numonyx осваивают процесс 3xnm, Microsn и Intel собираются уйти в отрыв, формируя дальнейшие планы по переходу на технологические процессы уровня 2xnm (технологическая норма от 20 до 29 нм). Кроме того, эксперты полагают, что новый процесс будет полностью совместим с 3-битной NAND-памятью, что даст Intel и Micron дополнительное преимущество, правда, неизвестно на какой срок.

В дополнительном анонсе компания Intel сообщила о решении проблем с новыми SSD-накопителями на базе микросхем памяти, изготовленных по 34-нанометровой технологии: X25-M и X-18M. Обнаруженная ошибка приводила к потере доступа к данным, если пользователь сначала устанавливал, а потом аннулировал пароль накопителя в основной конфигурации BIOS на своем компьютере. Обновленную прошивку для проблемных накопителей можно загрузить на официальном сайте Intel.

По материалам сайтов The Register и CNet.